В США начали производить GaN-чипы для оборудования 5G

Полупроводниковый производитель NXP Semiconductors запустил в Аризоне завод по выпуску GaN-чипов. Они используются в телекоммуникационном оборудовании, предназначенном для строительства 5G-сетей. GaN-чипы производятся с использованием нитрида галлия.

Власти США рассматривают возможность предоставления производителям микросхем многомиллиардных субсидий с целью восстановления производства чипов на территории страны. В связи с этим перенос производственных мощностей в США становится для игроков полупроводниковой отрасли все более привлекательным.

В конце весны руководство компании TSMC, которая считается крупнейшим на планете контрактным производителем полупроводников, анонсировало строительство завода в Аризоне. В проект будет вложено 12 млрд USD. Предприятие будет специализироваться на выпуске 5-нм микрочипов.

Из сообщения NXP Semiconductors следует, что на запущенном в Аризоне заводе чипы будут производиться из 150 мм пластин нитрида галлия. В восьми километрах от завода NXP располагается производственный комплекс, принадлежащий чипмейкеру Intel.

Производители микросхем используют нитрид галлия в качестве альтернативы кремнию. GaN-чипы потребляют меньше электроэнергии, нежели кремниевые чипы. Именно поэтому их активно применяют в 5G-оборудовании.